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LED（LightingEmittingDiode）照明即是发光二极管照明，是一种半导体固体发光器件。济南led照明它是应用固体半导体芯片作为发光资料，在半导体中经过载流子发作复合放出过剩的能量而惹起光子发射，直接发出红、黄、蓝、绿色的光，在此根底上，应用三基色原理，添加荧光粉，能够发出恣意颜色的光。应用LED作为光源制造出来的照明用具就是LED灯具。LED照明灯具里，反射用处的LED照明灯具能够完整胜任于任何场所，大面积室内照明还不成熟。
LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其中心是PN结。因而它具有普通P-N结的I-V特性，即正导游通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一局部与多数载流子（多子）复合而发光。
假定发光是在P区中发作的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发克复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间左近）捕获，然后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能构成可见光。发光的复合量相关于非发克复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
理论和理论证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体资料带隙Eg有关，即 λ≈1240/Eg（mm）
式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体资料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管本钱、价钱很高，运用不普遍。
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